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三星闪存突破大容量存储
来源:www.zhenhuachina.com 2007-06-28 16:01:34 点击：3660

三星电子公司于近日宣布他们在闪存大容量存储方面取得了重大突破，他们已经在70纳米的芯片上放置了4GB的闪存。这种70nm（纳米）的芯片将会将取代只有2GB 闪存的90nm的芯片，并且性能会提高百分之五十，读写速度达到16MBps。性能的提高最终可以给用户提供高清晰度的视频图像。

公司现在正在大规模生产这种闪存，估计在年底之前，会由六月份的每月生产4,000 个上升到每月生产15,000个。

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